
J112-D26Z onsemi

Description: JFET N-CH 35V TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Power - Max: 625 mW
Resistance - RDS(On): 50 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 15 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
---|---|
2000+ | 0.15 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details J112-D26Z onsemi
Description: ONSEMI - J112-D26Z - JFET-Transistor, JFET, -35 V, -5 V, TO-226AA, 3 Pins, 150 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 5mA, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TO-226AA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Transistortyp: JFET, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: -5V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote J112-D26Z nach Preis ab 0.16 EUR bis 0.86 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
J112-D26Z | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
![]() |
J112-D26Z | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
![]() |
J112-D26Z | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
![]() |
J112-D26Z | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Power - Max: 625 mW Resistance - RDS(On): 50 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 µA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 15 V |
auf Bestellung 12495 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
![]() |
J112-D26Z | Hersteller : onsemi / Fairchild |
![]() |
auf Bestellung 5679 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
![]() |
J112-D26Z | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: - MSL: - usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 5mA euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-226AA Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -5V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 6760 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||
![]() |
J112-D26Z | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||
![]() |
J112-D26Z | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||
![]() |
J112-D26Z | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||
J112-D26Z | Hersteller : ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |