JAN1N5554 Microchip / Microsemi
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 20.03 EUR |
| 10+ | 18.41 EUR |
| 25+ | 17.66 EUR |
| 100+ | 13.76 EUR |
| 250+ | 13.51 EUR |
| 500+ | 13.15 EUR |
| 1000+ | 13.04 EUR |
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Technische Details JAN1N5554 Microchip / Microsemi
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: B, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 2 µs, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: B, Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Grade: Military, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 9 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V, Qualification: MIL-PRF-19500/420.
Weitere Produktangebote JAN1N5554
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| JAN1N5554 | MICROSEMI |
B/VOIDLESS HERMETICALLY SEALED STANDARD RECOVERY GLASS RECTIFIERS 1N5554Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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JAN1N5554 | Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIALPackaging: Bulk Package / Case: B, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V Qualification: MIL-PRF-19500/420 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 104 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
JAN1N5554 | Semtech |
ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 3A STD 1KV |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JAN1N5554 |
![]() |
Hersteller: MICROSEMI
B/VOIDLESS HERMETICALLY SEALED STANDARD RECOVERY GLASS RECTIFIERS 1N5554
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
B/VOIDLESS HERMETICALLY SEALED STANDARD RECOVERY GLASS RECTIFIERS 1N5554
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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| JAN1N5554 |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: B, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Military
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
Qualification: MIL-PRF-19500/420
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: B, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Military
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
Qualification: MIL-PRF-19500/420
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Mindestbestellmenge: 104 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| JAN1N5554 |
![]() |
Hersteller: Semtech
ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 3A STD 1KV
ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 3A STD 1KV
Produkt ist nicht verfügbar
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