JAN1N5554 Microchip / Microsemi
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 11.09 EUR |
| 100+ | 10.3 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details JAN1N5554 Microchip / Microsemi
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: B, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 2 µs, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: B, Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Grade: Military, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 9 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V, Qualification: MIL-PRF-19500/420.
Weitere Produktangebote JAN1N5554
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
 |
JAN1N5554 | Hersteller : Microchip Technology |
 Rectifier Diode Switching 1KV 5A 2000ns 2-Pin Case E Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
| JAN1N5554 | Hersteller : MICROSEMI |
B/VOIDLESS HERMETICALLY SEALED STANDARD RECOVERY GLASS RECTIFIERS 1N5554 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
 |
JAN1N5554 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: B, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V Qualification: MIL-PRF-19500/420 |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
JAN1N5554 | Hersteller : Semtech |
ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 3A STD 1KV |
Produkt ist nicht verfügbar |