JAN1N5554 Microchip / Microsemi
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 16.83 EUR |
| 10+ | 15.47 EUR |
| 25+ | 14.84 EUR |
| 100+ | 13.06 EUR |
| 250+ | 10.82 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details JAN1N5554 Microchip / Microsemi
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL, Qualification: MIL-PRF-19500/420, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 9 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Grade: Military, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Supplier Device Package: B, Axial, Current - Average Rectified (Io): 3A, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 2 µs, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: B, Axial, Packaging: Bulk.
Weitere Produktangebote JAN1N5554
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| JAN1N5554 | MICROSEMI |
 B/VOIDLESS HERMETICALLY SEALED STANDARD RECOVERY GLASS RECTIFIERS 1N5554Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
 |
JAN1N5554 | Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL Qualification: MIL-PRF-19500/420 Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 9 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Grade: Military Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: B, Axial Current - Average Rectified (Io): 3A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: B, Axial Packaging: Bulk |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 104 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
JAN1N5554 | Semtech |
ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 3A STD 1KV |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JAN1N5554 |
|
Hersteller: MICROSEMI
B/VOIDLESS HERMETICALLY SEALED STANDARD RECOVERY GLASS RECTIFIERS 1N5554
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
B/VOIDLESS HERMETICALLY SEALED STANDARD RECOVERY GLASS RECTIFIERS 1N5554
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JAN1N5554 |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL
Qualification: MIL-PRF-19500/420
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 9 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Grade: Military
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: B, Axial
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: B, Axial
Packaging: Bulk
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL
Qualification: MIL-PRF-19500/420
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 9 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Grade: Military
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: B, Axial
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: B, Axial
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JAN1N5554 |
|
Hersteller: Semtech
ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 3A STD 1KV
ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 3A STD 1KV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH