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JAN1N5804US Semtech


132687-lds-0211-1-datasheet Hersteller: Semtech
DIODE 1A 100V TRR 25NS POWER DISCR 1N5804
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Technische Details JAN1N5804US Semtech

Description: DIODE GEN PURP 100V 2.5A D-5A, Packaging: Bulk, Package / Case: SQ-MELF, A, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 10V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2.5A, Supplier Device Package: D-5A, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Grade: Military, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 2.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V, Qualification: MIL-PRF-19500/477.

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JAN1N5804US JAN1N5804US Hersteller : Microchip Technology 132687-lds-0211-1-datasheet Description: DIODE GEN PURP 100V 2.5A D-5A
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, A
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.5A
Supplier Device Package: D-5A
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Military
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Qualification: MIL-PRF-19500/477
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JAN1N5804US Hersteller : Semtech Corporation 132687-lds-0211-1-datasheet Description: DIODE 1A 100V TRR 25NS
Packaging: Bulk
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