
JAN1N5811US Microchip / Microsemi
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Technische Details JAN1N5811US Microchip / Microsemi
Description: DIODE GEN PURP 150V 6A B SQ-MELF, Packaging: Bulk, Package / Case: SQ-MELF, B, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 6A, Supplier Device Package: B, SQ-MELF, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V, Grade: Military, Qualification: MIL-PRF-19500/477.
Weitere Produktangebote JAN1N5811US
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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JAN1N5811US | Hersteller : MICROSEMI |
![]() Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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JAN1N5811US | Hersteller : Microchip Technology |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF, B Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: B, SQ-MELF Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/477 |
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JAN1N5811US | Hersteller : Semtech Corporation |
![]() Packaging: Bulk Part Status: Discontinued at Digi-Key |
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