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JAN2N1479


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Technische Details JAN2N1479

Description: TRANS NPN 40V 1.5A TO-5, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 20mA, 200mA, Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 200mA, 4V, Supplier Device Package: TO-5, Grade: Military, Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 1 W, Qualification: MIL-S-19500/207.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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JAN2N1479 Hersteller : Microsemi 24816014-2n1479-pdf.pdf Trans GP BJT NPN 40V 1.5A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag
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JAN2N1479 Hersteller : Microchip Technology Description: TRANS NPN 40V 1.5A TO-5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 20mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 200mA, 4V
Supplier Device Package: TO-5
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-S-19500/207
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JAN2N1479 Hersteller : Microchip / Microsemi LDS_0325-1593145.pdf Bipolar Transistors - BJT Power BJT
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