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JAN2N3440 Microsemi


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Hersteller: Microsemi
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
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Technische Details JAN2N3440 Microsemi

Description: TRANS NPN 250V 1A TO-39, Power - Max: 800 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Part Status: Discontinued at Digi-Key, Supplier Device Package: TO-39, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 2µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Packaging: Bulk, Qualification: MIL-PRF-19500/368, Grade: Military.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
JAN2N3440 MOTOROLA LDS-0022_2N3439-40.pdf
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