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JAN2N3507 MOTOROLA


124336-lds-0016-datasheet Hersteller: MOTOROLA

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Technische Details JAN2N3507 MOTOROLA

Description: TRANS NPN 50V 3A TO39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 1.5A, 2V, Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD), Grade: Military, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 1 W, Qualification: MIL-PRF-19500/349.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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JAN2N3507 Hersteller : Microchip Technology 124336-lds-0016-datasheet Bipolar Transistors - BJT Power BJT
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JAN2N3507 JAN2N3507 Hersteller : Semicoa 2n3507-r.pdf NPN Bipolar junction transistor 50V
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JAN2N3507 JAN2N3507 Hersteller : Microchip Technology 124336-lds-0016-datasheet Description: TRANS NPN 50V 3A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 1.5A, 2V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/349
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