JAN2N3637 Microchip / Microsemi
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 20.65 EUR |
| 10+ | 20.47 EUR |
| 500+ | 19.87 EUR |
| 1000+ | 19.77 EUR |
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Technische Details JAN2N3637 Microchip / Microsemi
Description: TRANS PNP 175V 1A TO39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V, Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD), Grade: Military, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V, Power - Max: 1 W, Qualification: MIL-PRF-19500/357.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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| JAN2N3637 | MOTOROLA |
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auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JAN2N3637 |
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Hersteller: MOTOROLA
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