JAN2N4449UA/TR Microchip Technology
Hersteller: Microchip Technology
Description: SMALL-SIGNAL BJT
Qualification: MIL-PRF-19500/317
Grade: Military
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 400nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Supplier Device Package: UA
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Technische Details JAN2N4449UA/TR Microchip Technology
Description: SMALL-SIGNAL BJT, Qualification: MIL-PRF-19500/317, Grade: Military, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V, Current - Collector Cutoff (Max): 400nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 4-SMD, No Lead, Packaging: Tape & Reel (TR), Power - Max: 500 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V, Supplier Device Package: UA.
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| JAN2N4449UA/TR | Microchip / Microsemi |
 Bipolar Transistors - BJT 15V 600MW NPN Small-Signal BJT THT TR |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JAN2N4449UA/TR |
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Hersteller: Microchip / Microsemi
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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