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JAN2N4957 Microsemi


19132606-lds-0313.pdf Hersteller: Microsemi
Trans RF BJT PNP 30V 0.03A 200mW Bag
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Technische Details JAN2N4957 Microsemi

Description: RF TRANS PNP 30V 30MA TO72, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-72-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Gain: 25dB, Power - Max: 200mW, Current - Collector (Ic) (Max): 30mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V, Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 450MHz, Supplier Device Package: TO-72.

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JAN2N4957 JAN2N4957 Hersteller : Microsemi Corporation 132606-lds-0313-datasheet Description: RF TRANS PNP 30V 30MA TO72
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-72-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Gain: 25dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V
Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 450MHz
Supplier Device Package: TO-72
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