JANTX2N3501UB Microchip / Microsemi
Hersteller: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT 150V 300mA 1W NPN 3 Pin CER Small-Signal BJT
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Technische Details JANTX2N3501UB Microchip / Microsemi
Description: TRANS NPN 150V 0.3A UB, Qualification: MIL-PRF-19500/366, Power - Max: 500 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V, Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA, Grade: Military, Supplier Device Package: UB, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 3-SMD, No Lead, Packaging: Bulk.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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JANTX2N3501UB | Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT BJTs |
auf Bestellung 74 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTX2N3501UB |
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Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT BJTs
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
