Technische Details JANTX2N3507 Microchip / Microsemi
Description: TRANS NPN 50V 3A TO-39, Qualification: MIL-PRF-19500/349, Grade: Military, Power - Max: 1 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Supplier Device Package: TO-39, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 500mA, 1V, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Packaging: Bulk.
Weitere Produktangebote JANTX2N3507
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| JANTX2N3507 | MOTOROLA |
|
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| JANTX2N3507 | Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTX2N3507 |
![]() |
Hersteller: MOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| JANTX2N3507 |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)

