JANTX2N3507 Microchip / Microsemi
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Technische Details JANTX2N3507 Microchip / Microsemi
Description: TRANS NPN 50V 3A TO-39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 500mA, 1V, Supplier Device Package: TO-39, Grade: Military, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 1 W, Qualification: MIL-PRF-19500/349.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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| JANTX2N3507 | Microchip Technology |
 Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
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| JANTX2N3507 |
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Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
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