JANTX2N4150

JANTX2N4150 Microchip / Microsemi


2N4150_2N5237_2N5238_LDS_0014_MIL_PRF_19500_394-3500010.pdf Hersteller: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT 70V 10A 1W Power BJT THT
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Technische Details JANTX2N4150 Microchip / Microsemi

Description: TRANS NPN 70V 10A TO5, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 1A, 10A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 5A, 5V, Supplier Device Package: TO-5, Grade: Military, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70 V, Power - Max: 1 W, Qualification: MIL-PRF-19500/394.

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JANTX2N4150 JANTX2N4150 Hersteller : Microchip Technology lds-0014.pdf Trans GP BJT NPN 70V 10A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag
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JANTX2N4150 JANTX2N4150 Hersteller : Microchip Technology 8815-lds-0014-pdf Description: TRANS NPN 70V 10A TO5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 1A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-5
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/394
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