JANTX2N6353 Microchip / Microsemi
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Technische Details JANTX2N6353 Microchip / Microsemi
Description: TRANS NPN DARL 150V 5A TO66, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-213AA, TO-66-2, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 10mA, 5A, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 5V, Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V, Power - Max: 2 W.
Weitere Produktangebote JANTX2N6353
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| JANTX2N6353 | Hersteller : MOTOROLA |
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| JANTX2N6353 | Hersteller : Microchip Technology |
Darlington Transistors Power BJT |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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JANTX2N6353 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans Darlington NPN 150V 5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) TO-66 Tray |
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| JANTX2N6353 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: TRANS NPN DARL 150V 5A TO66 Packaging: Bulk Package / Case: TO-213AA, TO-66-2 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 10mA, 5A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 5V Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 2 W |
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