JANTXV1N5809US Microchip / Microsemi
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Technische Details JANTXV1N5809US Microchip / Microsemi
Description: DIODE STANDARD 100V 3A B SQMELF, Packaging: Bulk, Package / Case: SQ-MELF, B, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: B, SQ-MELF, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Grade: Military, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V, Qualification: MIL-PRF-19500/477.
Weitere Produktangebote JANTXV1N5809US nach Preis ab 17.9 EUR bis 19.27 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
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JANTXV1N5809US | Hersteller : Microchip Technology |
 Description: DIODE STANDARD 100V 3A B SQMELFPackaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF, B Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, SQ-MELF Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V Qualification: MIL-PRF-19500/477 |
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JANTXV1N5809US | Hersteller : Microchip Technology |
Rectifier Diode Switching 100V 6A 30ns 2-Pin E-MELF Bag |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| JANTXV1N5809US | Hersteller : MICROSEMI |
B/VOIDLESS-HERMETICALLY-SEALED ULTRAFAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS 1N5809 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| JANTXV1N5809US | Hersteller : Semtech |
D MET 6A SFST 100V HRV 6FFTV POWER DISCR 1N5809 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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