Technische Details JANTXV1N6312US Microsemi
Description: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35, Packaging: Bulk, Tolerance: ±5%, Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -65°C ~ 175°C, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V, Impedance (Max) (Zzt): 27 Ohms, Supplier Device Package: DO-35, Part Status: Discontinued at Digi-Key, Power - Max: 500 mW, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V.
Weitere Produktangebote JANTXV1N6312US
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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JANTXV1N6312US | Hersteller : Microchip Technology | Zener Diode Single 3.3V 5% 27Ohm 500mW 2-Pin B-MELF Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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JANTXV1N6312US | Hersteller : MICROSEMI |
Voidless Hermetically Sealed Zener Diode, 0.5W, SQ-MELF 1N6312 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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JANTXV1N6312US | Hersteller : Microchip Technology |
Description: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 Packaging: Bulk Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V Impedance (Max) (Zzt): 27 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Part Status: Discontinued at Digi-Key Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V |
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