JANTXV1N6316US/TR Microchip Technology
Hersteller: Microchip TechnologyDescription: DIODE ZENER 4.7V 500MW SQ-MELF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SQ-MELF, B
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 17 Ohms
Supplier Device Package: B, SQ-MELF
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1.5 V
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/533
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Technische Details JANTXV1N6316US/TR Microchip Technology
Description: DIODE ZENER 4.7V 500MW SQ-MELF, Packaging: Tape & Reel (TR), Tolerance: ±5%, Package / Case: SQ-MELF, B, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -65°C ~ 175°C, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V, Impedance (Max) (Zzt): 17 Ohms, Supplier Device Package: B, SQ-MELF, Part Status: Active, Power - Max: 500 mW, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1.5 V, Grade: Military, Qualification: MIL-PRF-19500/533.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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JANTXV1N6316US/TR | Hersteller : Microchip / Microsemi |
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