JANTXV2N3501 Microchip / Microsemi
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Technische Details JANTXV2N3501 Microchip / Microsemi
Description: TRANS NPN 150V 0.3A TO39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD), Grade: Military, Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V, Power - Max: 1 W, Qualification: MIL-PRF-19500/366.
Weitere Produktangebote JANTXV2N3501
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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JANTXV2N3501 | Hersteller : Microchip Technology |
 Bipolar Transistors - BJT BJTs |
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JANTXV2N3501 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 150V 0.3A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| JANTXV2N3501 | Hersteller : MICROSEMI |
TO39/NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 2N3501 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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JANTXV2N3501 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 150V 0.3A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/366 |
Produkt ist nicht verfügbar |