JANTXV2N3501 Microchip / Microsemi
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 43.88 EUR |
| 10+ | 40.46 EUR |
| 25+ | 33.53 EUR |
| 100+ | 30.64 EUR |
| 250+ | 30.2 EUR |
| 500+ | 29.49 EUR |
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Technische Details JANTXV2N3501 Microchip / Microsemi
Description: TRANS NPN 150V 0.3A TO39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD), Grade: Military, Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V, Power - Max: 1 W, Qualification: MIL-PRF-19500/366.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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JANTXV2N3501 | Microchip Technology |
 Bipolar Transistors - BJT BJTs |
auf Bestellung 64 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTXV2N3501 |
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Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT BJTs
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