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JNG30N120HS3 JIAENSEMI

Hersteller: JIAENSEMI
Transistor IGBT ; 1200V; 30V; 50A; 100A; 260W; 4V~6V; 165nC; -55°C~150°C; JNG30N120HS3 JIAENSEMI TJNG30n120hs3
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Technische Details JNG30N120HS3 JIAENSEMI

Transistor IGBT ; 1200V; 30V; 50A; 100A; 260W; 4V~6V; 165nC; -55°C~150°C; JNG30N120HS3 JIAENSEMI TJNG30n120hs3, Anzahl je Verpackung: 5 Stücke.