K4A4G085WE-BCRC Samsung Semiconductor, Inc.
Hersteller: Samsung Semiconductor, Inc.
Description: DDR4-2400 4GB (512MX8)0.833NS CL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 78-FBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 95°C
Voltage - Supply: 1.2V
Memory Format: DRAM
Part Status: Active
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 512M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: DDR4-2400 4GB (512MX8)0.833NS CL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 78-FBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 95°C
Voltage - Supply: 1.2V
Memory Format: DRAM
Part Status: Active
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 512M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 250+ | 5.77 EUR |
| 500+ | 5.36 EUR |
| 1000+ | 4.94 EUR |
| 2000+ | 4.53 EUR |
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Technische Details K4A4G085WE-BCRC Samsung Semiconductor, Inc.
Description: DDR4-2400 4GB (512MX8)0.833NS CL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 78-FBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 4Gbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: 0°C ~ 95°C, Voltage - Supply: 1.2V, Memory Format: DRAM, Part Status: Active, Memory Interface: Parallel, Memory Organization: 512M x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.
Weitere Produktangebote K4A4G085WE-BCRC
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
| K4A4G085WE-BCRC | Hersteller : Samsung |
auf Bestellung 20480 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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K4A4G085WE-BCRC | Hersteller : Samsung Semiconductor |
 DRAM Chip DDR4 SDRAM 4Gbit 512Mx8 1.2V 78-Pin FBGA |
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