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K4B4G1646E-BYMATCV Samsung Electro-Mechanics

Hersteller: Samsung Electro-Mechanics
DRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.35V/1.5V 96-Pin FBGA
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Technische Details K4B4G1646E-BYMATCV Samsung Electro-Mechanics

DRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.35V/1.5V 96-Pin FBGA.

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K4B4G1646E-BYMATCV K4B4G1646E-BYMATCV Hersteller : Samsung Semiconductor ds_k4b4g1646e_by_m_rev1_11-0.pdf DRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.35V/1.5V 96-Pin FBGA
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