Technische Details K4S281632C-TC75 SAMSUNG
Синхронная динамическая память (SDRAM) (2M x 16 bit x 4 banks, 75ns , Vdd=3.3V, , -55 to +150C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-54 Од. вим: шт.
Weitere Produktangebote K4S281632C-TC75
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| K4S281632CTC75 | Hersteller : SAMSUNG |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|||
| K4S281632C-TC75 | Hersteller : DIV | Синхронная динамическая память (SDRAM) (2M x 16 bit x 4 banks, 75ns , Vdd=3.3V, , -55 to +150C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-54 Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |