Technische Details K6R4016V1DUI10 SAMSUNG
Память статическая 256K x 16, Vcc=3.3V (-40 +85 C) PB-free... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP2-44 Од. вим: шт, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote K6R4016V1DUI10
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| K6R4016V1D-UI10 | Samsung |
Мікросхеми пам'яті |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| K6R4016V1D-UI10 | Samsung |
Память статическая 256K x 16, Vcc=3.3V (-40 +85 C) PB-free... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP2-44 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| K6R4016V1D-UI10 |
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Hersteller: Samsung
Мікросхеми пам'яті
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| K6R4016V1D-UI10 |
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Hersteller: Samsung
Память статическая 256K x 16, Vcc=3.3V (-40 +85 C) PB-free... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP2-44 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Память статическая 256K x 16, Vcc=3.3V (-40 +85 C) PB-free... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP2-44 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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