Technische Details K6T0808C1D-DB70 SAMSUNG
Статическая память (SRAM) (32k x 8 bit, 70ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-28 Од. вим: шт.
Weitere Produktangebote K6T0808C1D-DB70
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| K6T0808C1DDB70 | Hersteller : SAMSUNG |
auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|||
| K6T0808C1D-DB70 | Hersteller : Samsung |
 (DIP-28,SRAM,8#32K,70nS,0...70) Група товару: Мікросхеми пам'яті Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
| K6T0808C1D-DB70 | Hersteller : Samsung | Статическая память (SRAM) (32k x 8 bit, 70ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-28 Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |