Technische Details K6T0808C1DGB70 SAMSUNG
Статическая память (SRAM) (32k x 8 bit, 70ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-28 Од. вим: шт.
Weitere Produktangebote K6T0808C1DGB70
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| K6T0808C1D-GB70 | Hersteller : SAMSUNG | 2002 |
auf Bestellung 178 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| K6T0808C1D-GB70 | Hersteller : Samsung |
 Група товару: Мікросхеми пам'яті Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| K6T0808C1D-GB70 | Hersteller : Samsung | Статическая память (SRAM) (32k x 8 bit, 70ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-28 Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |