Technische Details K6T4008C1B-DB55 SAMSUNG
SRAM 512K#8 55ns, 5V, low power 80мА/20мкА, 0...+70, DIP-32 Мікросхеми пам'яті.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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| K6T4008C1BDB55 | SAMSUNG |
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| K6T4008C1BDB55 |
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