Technische Details K6T4008C1BDB70 SAMSUNG
Статическая память (SRAM) (512k x 8 bit, 70ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-32 Од. вим: шт.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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| K6T4008C1B-DB70 | SAMSUNG | DIP |
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| K6T4008C1B-DB70 |
Hersteller: SAMSUNG
DIP
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