Technische Details K6T4008C1BDB70 SAMSUNG
Статическая память (SRAM) (512k x 8 bit, 70ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-32 Од. вим: шт.
Weitere Produktangebote K6T4008C1BDB70
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| K6T4008C1B-DB70 | Hersteller : SAMSUNG | DIP |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||
| K6T4008C1B-DB70 | Hersteller : Samsung |
 SRAM 512K#8 70ns, 5V, low power 80мА/20мкА, 0...+70, DIP-32 Група товару: Мікросхеми пам'яті Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
| K6T4008C1B-DB70 | Hersteller : Samsung | Статическая память (SRAM) (512k x 8 bit, 70ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-32 Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
| K6T4008C1B-DB70 | Hersteller : Samsung | Статическая память (SRAM) (512k x 8 bit, 70ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-32 Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |