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K6X8008T2BUF55 SAMSUNG


Hersteller: SAMSUNG

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Technische Details K6X8008T2BUF55 SAMSUNG

Статична пам'ять SRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Об. пам. = 8 Мбіт, Орг. пам. = 1M x 8, Тдост/Частота = 55 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOPII-44 Од. вим: шт, Anzahl je Verpackung: 100 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
K6X8008T2B-UF55 Samsung ds_k6x8008t2b_rev20.pdf (TSOP2-F-44,SRAM,8#1M,55nS,-40..+85 ) Мікросхеми пам'яті
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K6X8008T2B-UF55 Samsung K6X8008T2B_Samsung.pdf Статична пам'ять SRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Об. пам. = 8 Мбіт, Орг. пам. = 1M x 8, Тдост/Частота = 55 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOPII-44 Од. вим: шт
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