KBU803G Taiwan Semiconductor
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Technische Details KBU803G Taiwan Semiconductor
Category: Flat single phase diode bridge rectif., Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 200V; If: 8A; Ifsm: 200A, Type of bridge rectifier: single-phase, Max. off-state voltage: 200V, Load current: 8A, Max. forward impulse current: 200A, Version: flat, Case: KBU, Electrical mounting: THT, Leads: round pin, Kind of package: in-tray, Max. forward voltage: 1.1V, Features of semiconductor devices: glass passivated, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote KBU803G
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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KBU803G | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 200V; If: 8A; Ifsm: 200A Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 200V Load current: 8A Max. forward impulse current: 200A Version: flat Case: KBU Electrical mounting: THT Leads: round pin Kind of package: in-tray Max. forward voltage: 1.1V Features of semiconductor devices: glass passivated Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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KBU803G | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Tray Package / Case: 4-SIP, KBU Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: KBU Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V Current - Average Rectified (Io): 8 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
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KBU803G | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
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KBU803G | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 200V; If: 8A; Ifsm: 200A Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 200V Load current: 8A Max. forward impulse current: 200A Version: flat Case: KBU Electrical mounting: THT Leads: round pin Kind of package: in-tray Max. forward voltage: 1.1V Features of semiconductor devices: glass passivated |
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