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KEL2030

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Produktcode: 202698
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXTP160N10T IXTP160N10T Hersteller : IXYS IXT_160N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 100V; 160A; 430W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Power dissipation: 430W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 132nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 60ns
auf Bestellung 232 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.92 EUR
16+4.58 EUR
50+3.68 EUR
100+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 13
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IXTP160N10T IXTP160N10T Hersteller : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_160n10t_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 1853 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+8.34 EUR
50+4.71 EUR
100+4.34 EUR
500+3.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IXTP160N10T IXTP160N10T Hersteller : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXT_160N10T_Datasheet.PDF MOSFETs 160 Amps 100V 6.9 Rds
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.33 EUR
10+5.61 EUR
100+4.93 EUR
500+4.79 EUR
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IXTP160N10T IXTP160N10T Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007925022-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP160N10T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 160 A, 6100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 430W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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