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Technische Details IXTP160N10T Littelfuse
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP160N10T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 160 A, 0.0061 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 160A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 430W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Weitere Produktangebote IXTP160N10T nach Preis ab 3.58 EUR bis 1769.10 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IXTP160N10T | Hersteller : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 100V; 160A; 430W; TO220AB On-state resistance: 7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 430W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 132nC Technology: Trench™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220AB Reverse recovery time: 60ns Drain-source voltage: 100V Drain current: 160A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 273 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTP160N10T | Hersteller : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 100V; 160A; 430W; TO220AB On-state resistance: 7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 430W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 132nC Technology: Trench™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220AB Reverse recovery time: 60ns Drain-source voltage: 100V Drain current: 160A |
auf Bestellung 273 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTP160N10T | Hersteller : Littelfuse |
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auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTP160N10T | Hersteller : IXYS |
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auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTP160N10T | Hersteller : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 430W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1853 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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KEL2030 | Hersteller : SRA Soldering Products |
![]() Packaging: Box Power (Watts): 1000W Features: LAN, Programmable, RS232 and USB Interface Display Type: LCD Size / Dimension: 16.929" L x 15.748" W x 5.906" H (430.00mm x 400.00mm x 150.00mm) Voltage - Output: 0 ~ 18V, 150V Number of Characters: 5 (3) Current - Output: 0 ~ 3A, 40A Type: Bench (AC to DC) Voltage - Supply: 150V Part Status: Active Number of Outputs: 1 |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTP160N10T | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 430W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
auf Bestellung 151 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTP160N10T | Hersteller : Littelfuse |
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KEL2030 Produktcode: 202698
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IXTP160N10T | Hersteller : Littelfuse |
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