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Technische Details VS-150EBU02-N4 Vishay Semiconductors
Description: DIODE GP 200V 150A POWIRTAB, Packaging: Bulk, Package / Case: PowerTab®, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 45 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 150A, Supplier Device Package: PowerTab®, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.13 V @ 150 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 200 V.
Weitere Produktangebote VS-150EBU02-N4
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Клема ЗМЗ (без шайби) Produktcode: 205920
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Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden |
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Клема ЗМЗ (без шайби) Produktcode: 203182
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Lieblingsprodukt
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Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbindungen Klemmen |
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| VS-150EBU02-N4 | Hersteller : Vishay |
 Freds - PowerTab |
Produkt ist nicht verfügbar |
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VS-150EBU02-N4 | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GP 200V 150A POWIRTAB Packaging: Bulk Package / Case: PowerTab® Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 45 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 150A Supplier Device Package: PowerTab® Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.13 V @ 150 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 200 V |
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VS-150EBU02-N4 | Hersteller : VISHAY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 150A; tube; Ifsm: 1600A; PowerTab® Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 150A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 1.6kA Case: PowerTab® Max. forward voltage: 1.13V Max. load current: 380A Reverse recovery time: 45ns |
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