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KSC1008CYTA

KSC1008CYTA ON Semiconductor

ksc1008-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 0.7A 800mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 10000 Stücke:
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Technische Details KSC1008CYTA ON Semiconductor

Description: ONSEMI - KSC1008CYTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 700 mA, 800 mW, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung: 800mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-92, Dauerkollektorstrom: 700mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: KSC1008, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
KSC1008CYTA KSC1008CYTA ON Semiconductor ksc1008-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 0.7A 800mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 9245 Stücke:
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KSC1008CYTA KSC1008CYTA ON Semiconductor ksc1008-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 0.7A 800mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
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KSC1008CYTA KSC1008CYTA onsemi ksc1008-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 0.7A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 12000 Stücke:
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2000+0.15 EUR
4000+0.14 EUR
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KSC1008CYTA KSC1008CYTA ONSEMI KSC1008.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.7A; 0.8W; TO92 Formed
Mounting: THT
Case: TO92 Formed
Collector current: 0.7A
Power dissipation: 0.8W
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 120...240
Frequency: 50MHz
Kind of package: Ammo Pack
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
auf Bestellung 1162 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
193+0.44 EUR
256+0.33 EUR
300+0.29 EUR
500+0.17 EUR
569+0.15 EUR
667+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 193 Stücke
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KSC1008CYTA KSC1008CYTA ONSEMI ONSM-S-A0013713723-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - KSC1008CYTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 700 mA, 800 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 800mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 700mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: KSC1008
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 10230 Stücke:
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415+0.61 EUR
629+0.37 EUR
885+0.24 EUR
1097+0.19 EUR
1237+0.18 EUR
5000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 415 Stücke
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KSC1008CYTA KSC1008CYTA onsemi ksc1008-d.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor
auf Bestellung 6078 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.69 EUR
10+0.43 EUR
100+0.27 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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KSC1008CYTA KSC1008CYTA onsemi ksc1008-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 0.7A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 1254 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
30+0.71 EUR
48+0.44 EUR
100+0.27 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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KSC1008CYTA
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Trans GP BJT NPN 60V 0.7A 800mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
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Description: TRANS NPN 60V 0.7A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
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Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.7A; 0.8W; TO92 Formed
Mounting: THT
Case: TO92 Formed
Collector current: 0.7A
Power dissipation: 0.8W
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 120...240
Frequency: 50MHz
Kind of package: Ammo Pack
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
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500+0.17 EUR
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSC1008CYTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 700 mA, 800 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 800mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 700mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: KSC1008
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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629+0.37 EUR
885+0.24 EUR
1097+0.19 EUR
1237+0.18 EUR
5000+0.13 EUR
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Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor
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10+0.43 EUR
100+0.27 EUR
500+0.2 EUR
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Description: TRANS NPN 60V 0.7A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
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