KSC1008CYTA ON Semiconductor
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Technische Details KSC1008CYTA ON Semiconductor
Description: ONSEMI - KSC1008CYTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 700 mA, 800 mW, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 700mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: KSC1008, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote KSC1008CYTA nach Preis ab 0.09 EUR bis 0.62 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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KSC1008CYTA | Hersteller : onsemi |
 Description: TRANS NPN 60V 0.7A TO-92-3Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW |
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KSC1008CYTA | Hersteller : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor |
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KSC1008CYTA | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.7A; 0.8W; TO92 Formed Frequency: 50MHz Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 120...240 Collector current: 0.7A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.8W Polarisation: bipolar Kind of package: Ammo Pack Mounting: THT Case: TO92 Formed Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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KSC1008CYTA | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.7A; 0.8W; TO92 Formed Frequency: 50MHz Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 120...240 Collector current: 0.7A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.8W Polarisation: bipolar Kind of package: Ammo Pack Mounting: THT Case: TO92 Formed |
auf Bestellung 1801 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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KSC1008CYTA | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 0.7A TO-92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW |
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KSC1008CYTA | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSC1008CYTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 700 mA, 800 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 700mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: KSC1008 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 14045 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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KSC1008CYTA | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 0.7A 800mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
Produkt ist nicht verfügbar |
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KSC1008CYTA | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 0.7A 800mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
Produkt ist nicht verfügbar |
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KSC1008CYTA | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 0.7A 800mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
Produkt ist nicht verfügbar |