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KSC2335-R SAMSUNG


Hersteller: SAMSUNG

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Technische Details KSC2335-R SAMSUNG

Description: TRANS NPN 400V 7A TO220-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V, Supplier Device Package: TO-220-3, Current - Collector (Ic) (Max): 7 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V, Power - Max: 1.5 W.

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KSC2335R KSC2335R Hersteller : onsemi KSC2335.pdf Description: TRANS NPN 400V 7A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.5 W
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KSC2335R KSC2335R Hersteller : ON Semiconductor / Fairchild KSC2335-1301236.pdf Bipolar Transistors - BJT
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