KSC3503DS Fairchild/ON Semiconductor
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 7, Uceo, В = 300, Ic = 100 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 150, hFE = 60 @ 10 мA, 10 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 2 мA, 20 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-126-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
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Technische Details KSC3503DS Fairchild/ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 300V 0.1A TO-126-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 2mA, 20mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 10V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: TO-126-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V, Power - Max: 7 W.
Weitere Produktangebote KSC3503DS
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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KSC3503DS | onsemi |
Description: TRANS NPN 300V 0.1A TO-126-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 2mA, 20mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 10V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 7 W |
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| KSC3503DS | ONS/FAI |
TRANS NPN 300V 0.1A TO126-3 Транзистори |
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KSC3503DS | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil |
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| KSC3503DS |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 300V 0.1A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 7 W
Description: TRANS NPN 300V 0.1A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 7 W
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| KSC3503DS |
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Hersteller: ONS/FAI
TRANS NPN 300V 0.1A TO126-3 Транзистори
TRANS NPN 300V 0.1A TO126-3 Транзистори
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| KSC3503DS |
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
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