KSC3503DS Fairchild/ON Semiconductor


KSC3503_ON.pdf
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 7, Uceo, В = 300, Ic = 100 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 150, hFE = 60 @ 10 мA, 10 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 2 мA, 20 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-126-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
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Technische Details KSC3503DS Fairchild/ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 300V 0.1A TO-126-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 2mA, 20mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 10V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: TO-126-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V, Power - Max: 7 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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KSC3503DS ONS/FAI ksc3503-d.pdf TRANS NPN 300V 0.1A TO126-3 Транзистори
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KSC3503DS KSC3503DS onsemi ksc3503-d.pdf Description: TRANS NPN 300V 0.1A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 7 W
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KSC3503DS KSC3503DS onsemi ksc3503-d.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
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KSC3503DS ONSEMI KSC3503.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.1A; 7W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 7W
Case: TO126ISO
Pulsed collector current: 0.2A
Current gain: 60...120
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 150MHz
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KSC3503DS ksc3503-d.pdf
Hersteller: ONS/FAI
TRANS NPN 300V 0.1A TO126-3 Транзистори
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KSC3503DS
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 300V 0.1A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 7 W
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KSC3503DS
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
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Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.1A; 7W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 7W
Case: TO126ISO
Pulsed collector current: 0.2A
Current gain: 60...120
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 150MHz
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