KSC5026MOS

KSC5026MOS onsemi / Fairchild


KSC5026M_D-2314578.pdf Hersteller: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor
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Technische Details KSC5026MOS onsemi / Fairchild

Description: ONSEMI - KSC5026MOS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 1.5 A, 20 W, TO-126, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1.5A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-126, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 15MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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KSC5026MOS KSC5026MOS Hersteller : onsemi ksc5026m-d.pdf Description: TRANS NPN 800V 1.5A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 150mA, 750mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V
Power - Max: 20 W
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KSC5026MOS KSC5026MOS Hersteller : ONSEMI 2572464.pdf Description: ONSEMI - KSC5026MOS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 1.5 A, 20 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 15MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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KSC5026MOS KSC5026MOS Hersteller : ON Semiconductor ksc5026m-d.pdf Trans GP BJT NPN 800V 1.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag
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KSC5026MOS KSC5026MOS Hersteller : ON Semiconductor ksc5026m-d.pdf Trans GP BJT NPN 800V 1.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag
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KSC5026MOS Hersteller : ONSEMI ksc5026m-d.pdf KSC5026MOS NPN THT transistors
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