KSC5026MOS ON Semiconductor
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Technische Details KSC5026MOS ON Semiconductor
Description: ONSEMI - KSC5026MOS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 1.5 A, 20 W, TO-126, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 20W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-126, Dauerkollektorstrom: 1.5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 15MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote KSC5026MOS nach Preis ab 0.77 EUR bis 3.22 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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KSC5026MOS | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor |
auf Bestellung 1038 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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KSC5026MOS | onsemi |
Description: TRANS NPN 800V 1.5A TO-126-3Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 150mA, 750mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 15MHz Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V Power - Max: 20 W |
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KSC5026MOS | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSC5026MOS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 1.5 A, 20 W, TO-126, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 20W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-126 Dauerkollektorstrom: 1.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 15MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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KSC5026MOS | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 1.5A; 20W; TO126ISO Power dissipation: 20W Polarisation: bipolar Pulsed collector current: 5A Type of transistor: NPN Current gain: 20...40 Kind of package: bulk Case: TO126ISO Frequency: 15MHz Collector current: 1.5A Mounting: THT Collector-emitter voltage: 800V |
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| KSC5026MOS |
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor
auf Bestellung 1038 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.01 EUR |
| 10+ | 1.92 EUR |
| 100+ | 1.27 EUR |
| 500+ | 1 EUR |
| 1000+ | 0.9 EUR |
| 2000+ | 0.77 EUR |
| KSC5026MOS |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 800V 1.5A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 150mA, 750mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V
Power - Max: 20 W
Description: TRANS NPN 800V 1.5A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 150mA, 750mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 1979 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 3.09 EUR |
| 11+ | 1.95 EUR |
| 100+ | 1.3 EUR |
| 500+ | 1.01 EUR |
| 1000+ | 0.93 EUR |
| KSC5026MOS |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSC5026MOS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 1.5 A, 20 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 15MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - KSC5026MOS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 1.5 A, 20 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 15MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 78+ | 3.22 EUR |
| 136+ | 1.71 EUR |
| 188+ | 1.14 EUR |
| 1000+ | 1.13 EUR |
| KSC5026MOS |
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Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 1.5A; 20W; TO126ISO
Power dissipation: 20W
Polarisation: bipolar
Pulsed collector current: 5A
Type of transistor: NPN
Current gain: 20...40
Kind of package: bulk
Case: TO126ISO
Frequency: 15MHz
Collector current: 1.5A
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 800V
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 1.5A; 20W; TO126ISO
Power dissipation: 20W
Polarisation: bipolar
Pulsed collector current: 5A
Type of transistor: NPN
Current gain: 20...40
Kind of package: bulk
Case: TO126ISO
Frequency: 15MHz
Collector current: 1.5A
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 800V
auf Bestellung 1761 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)





