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KSC5026MOS

KSC5026MOS ONSEMI

KSC5026M.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 1.5A; 20W; TO126ISO
Mounting: THT
Case: TO126ISO
Type of transistor: NPN
Collector current: 1.5A
Pulsed collector current: 5A
Power dissipation: 20W
Current gain: 20...40
Collector-emitter voltage: 800V
Frequency: 15MHz
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
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Technische Details KSC5026MOS ONSEMI

Description: ONSEMI - KSC5026MOS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 1.5 A, 20 W, TO-126, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-126, Dauerkollektorstrom: 1.5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 15MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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KSC5026MOS KSC5026MOS onsemi / Fairchild KSC5026M_D-2314578.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor
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KSC5026MOS KSC5026MOS onsemi ksc5026m-d.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor
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KSC5026MOS KSC5026MOS onsemi ksc5026m-d.pdf Description: TRANS NPN 800V 1.5A TO-126-3
Power - Max: 20 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-126-3
Frequency - Transition: 15MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 150mA, 750mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
auf Bestellung 1503 Stücke:
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13+1.7 EUR
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KSC5026MOS KSC5026MOS ONSEMI ksc5026m-d.pdf Description: ONSEMI - KSC5026MOS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 1.5 A, 20 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 15MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1576 Stücke:
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KSC5026MOS FAIRCHILD ksc5026m-d.pdf TO-126 06+
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KSC5026MOS
Hersteller: onsemi / Fairchild
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 800V 1.5A TO-126-3
Power - Max: 20 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-126-3
Frequency - Transition: 15MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 150mA, 750mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSC5026MOS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 1.5 A, 20 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
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Hersteller: FAIRCHILD
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