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KSC5502DTM

KSC5502DTM ON Semiconductor

ksc5502dt-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 600V 2A 50000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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Technische Details KSC5502DTM ON Semiconductor

Description: ONSEMI - KSC5502DTM - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Hochspannung, NPN, 600 V, 2 A, 50 W, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 11MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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KSC5502DTM KSC5502DTM Hersteller : onsemi ksc5502dt-d.pdf Description: TRANS NPN 600V 2A TO-252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 11MHz
Supplier Device Package: TO-252AA
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 50 W
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.56 EUR
5000+0.52 EUR
7500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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KSC5502DTM KSC5502DTM Hersteller : onsemi / Fairchild KSC5502DT_D-2314419.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Triple Diffused Planar Silicon
auf Bestellung 6529 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.66 EUR
10+1.16 EUR
100+0.81 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.59 EUR
2500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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KSC5502DTM KSC5502DTM Hersteller : onsemi ksc5502dt-d.pdf Description: TRANS NPN 600V 2A TO-252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 11MHz
Supplier Device Package: TO-252AA
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 50 W
auf Bestellung 11631 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+2.15 EUR
14+1.35 EUR
100+0.89 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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KSC5502DTM KSC5502DTM Hersteller : ONSEMI ksc5502dt-d.pdf Description: ONSEMI - KSC5502DTM - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Hochspannung, NPN, 600 V, 2 A, 50 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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KSC5502DTM KSC5502DTM Hersteller : ONSEMI ksc5502dt-d.pdf Description: ONSEMI - KSC5502DTM - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Hochspannung, NPN, 600 V, 2 A, 50 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9440 Stücke:
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KSC5502DTM KSC5502DTM Hersteller : ON Semiconductor ksc5502dt-d.pdf Trans GP BJT NPN 600V 2A 50000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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KSC5502DTM Hersteller : Aptina Imaging ksc5502dt-d.pdf Trans GP BJT NPN 600V 2A 50000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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KSC5502DTM KSC5502DTM Hersteller : ON Semiconductor ksc5502dt-d.pdf Trans GP BJT NPN 600V 2A 50000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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KSC5502DTM KSC5502DTM Hersteller : ON Semiconductor ksc5502dt-d.pdf Trans GP BJT NPN 600V 2A 50000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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KSC5502DTM Hersteller : ONSEMI ksc5502dt-d.pdf KSC5502DTM NPN SMD transistors
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