KSC5502DTM ON Semiconductor
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Technische Details KSC5502DTM ON Semiconductor
Description: ONSEMI - KSC5502DTM - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Hochspannung, NPN, 600 V, 2 A, 50 W, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 11MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote KSC5502DTM nach Preis ab 0.50 EUR bis 2.15 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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KSC5502DTM | Hersteller : onsemi |
 Description: TRANS NPN 600V 2A TO-252AAPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 11MHz Supplier Device Package: TO-252AA Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 50 W |
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KSC5502DTM | Hersteller : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Triple Diffused Planar Silicon |
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KSC5502DTM | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 600V 2A TO-252AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 11MHz Supplier Device Package: TO-252AA Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 50 W |
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KSC5502DTM | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSC5502DTM - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Hochspannung, NPN, 600 V, 2 A, 50 W, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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KSC5502DTM | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSC5502DTM - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Hochspannung, NPN, 600 V, 2 A, 50 W, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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KSC5502DTM | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 600V 2A 50000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| KSC5502DTM | Hersteller : Aptina Imaging |
Trans GP BJT NPN 600V 2A 50000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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KSC5502DTM | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 600V 2A 50000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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KSC5502DTM | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 600V 2A 50000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| KSC5502DTM | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 600V; 2A; 87.83W; DPAK Mounting: SMD Type of transistor: NPN Power dissipation: 87.83W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Case: DPAK Frequency: 11MHz Collector-emitter voltage: 600V Current gain: 12...30 Collector current: 2A Pulsed collector current: 4A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| KSC5502DTM | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 600V; 2A; 87.83W; DPAK Mounting: SMD Type of transistor: NPN Power dissipation: 87.83W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Case: DPAK Frequency: 11MHz Collector-emitter voltage: 600V Current gain: 12...30 Collector current: 2A Pulsed collector current: 4A |
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