KSC5502DTTU ON Semiconductor
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Technische Details KSC5502DTTU ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 600V 2A TO-220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 200mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4 @ 1A, 1V, Frequency - Transition: 11MHz, Supplier Device Package: TO-220-3, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Power - Max: 50 W.
Weitere Produktangebote KSC5502DTTU nach Preis ab 1.17 EUR bis 2.81 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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KSC5502DTTU | ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 600V 2A 118160mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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KSC5502DTTU | onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Trip Dif Planar Silicon Transistor |
auf Bestellung 3025 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| KSC5502DTTU |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 600V 2A 118160mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans GP BJT NPN 600V 2A 118160mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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| KSC5502DTTU |
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Hersteller: onsemi / Fairchild
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.81 EUR |
| 10+ | 2.53 EUR |
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