KSC5603DTU ON Semiconductor
| Anzahl | Preis |
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| 150+ | 1.91 EUR |
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Technische Details KSC5603DTU ON Semiconductor
Description: ONSEMI - KSC5603DTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 3 A, 100 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-220, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 5MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote KSC5603DTU nach Preis ab 1.05 EUR bis 3.36 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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KSC5603DTU | Hersteller : onsemi |
 Description: TRANS NPN 800V 3A TO-220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 200µA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 400mA, 3V Frequency - Transition: 5MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V Power - Max: 100 W |
auf Bestellung 1561 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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KSC5603DTU | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT NPN Sil Planar Sil |
auf Bestellung 227 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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KSC5603DTU | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSC5603DTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 3 A, 100 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 5MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| KSC5603DTU | Hersteller : FSC |
DO-214 |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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KSC5603DTU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 800V 3A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| KSC5603DTU | Hersteller : ONS/FAI |
TRANSISTOR NPN 800V 3A TO-220 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| KSC5603DTU | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 3A; 100W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 800V Collector current: 3A Power dissipation: 100W Current gain: 20...35 Mounting: THT Frequency: 5MHz Pulsed collector current: 6A Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Case: TO220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |