KSD1616AYTA ON Semiconductor
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Technische Details KSD1616AYTA ON Semiconductor
Description: ONSEMI - KSD1616AYTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 750 mW, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 135hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 750mW, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 160MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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KSD1616AYTA | Hersteller : onsemi |
 Description: TRANS NPN 60V 1A TO-92-3Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 750 mW |
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KSD1616AYTA | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 1A TO-92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 750 mW |
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KSD1616AYTA | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSD1616AYTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 750 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 135hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 750mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 160MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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KSD1616AYTA | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
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KSD1616AYTA | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
Produkt ist nicht verfügbar |
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KSD1616AYTA | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
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| KSD1616AYTA | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 0.75W; TO92 Type of transistor: NPN Collector current: 1A Power dissipation: 0.75W Polarisation: bipolar Kind of package: Ammo Pack Current gain: 135...270 Collector-emitter voltage: 60V Frequency: 160MHz Case: TO92 Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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KSD1616AYTA | Hersteller : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor |
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| KSD1616AYTA | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 0.75W; TO92 Type of transistor: NPN Collector current: 1A Power dissipation: 0.75W Polarisation: bipolar Kind of package: Ammo Pack Current gain: 135...270 Collector-emitter voltage: 60V Frequency: 160MHz Case: TO92 Mounting: THT |
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