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KSD1691GS

KSD1691GS ONSEMI

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEBCE46058E47340D6&compId=KSD1691.pdf?ci_sign=c4fb070e96a3e08968a4d415284a7a3adf1d056e Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 5A; 20W; TO126ISO
Mounting: THT
Case: TO126ISO
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 200...400
Collector current: 5A
Pulsed collector current: 8A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 20W
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1989 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
70+1.03 EUR
77+0.94 EUR
87+0.83 EUR
108+0.66 EUR
114+0.63 EUR
2000+0.62 EUR
4000+0.60 EUR
Mindestbestellmenge: 70
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Technische Details KSD1691GS ONSEMI

Description: TRANS NPN 60V 5A TO-126-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 1V, Supplier Device Package: TO-126-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 1.3 W.

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KSD1691GS KSD1691GS Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEBCE46058E47340D6&compId=KSD1691.pdf?ci_sign=c4fb070e96a3e08968a4d415284a7a3adf1d056e Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 5A; 20W; TO126ISO
Mounting: THT
Case: TO126ISO
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 200...400
Collector current: 5A
Pulsed collector current: 8A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 20W
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
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Anzahl Preis
70+1.03 EUR
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KSD1691GS KSD1691GS Hersteller : onsemi ksd1691-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 5A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 1V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W
auf Bestellung 1728 Stücke:
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KSD1691GS KSD1691GS Hersteller : onsemi / Fairchild KSD1691_D-1810379.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
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KSD1691GS KSD1691GS Hersteller : ON Semiconductor ksd1691-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 5A 1300mW 3-Pin TO-126 Bag
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