KSD1691GSTU ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details KSD1691GSTU ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 60V 5A TO-126-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 1V, Supplier Device Package: TO-126-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 1.3 W.
Weitere Produktangebote KSD1691GSTU nach Preis ab 0.59 EUR bis 2.18 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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KSD1691GSTU | Hersteller : onsemi / Fairchild |
 Bipolar Transistors - BJT 60V 5A NPN BJT |
auf Bestellung 14673 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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KSD1691GSTU | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 5A TO-126-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 1V Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.3 W |
auf Bestellung 294 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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KSD1691GSTU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 5A 1300mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube |
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KSD1691GSTU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 5A 1300mW 3-Pin TO-126 Tube |
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KSD1691GSTU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 5A 1300mW 3-Pin TO-126 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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KSD1691GSTU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 5A 1300mW 3-Pin TO-126 Tube |
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| KSD1691GSTU | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 5A; 20W; TO126ISO Mounting: THT Case: TO126ISO Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 200...400 Collector current: 5A Pulsed collector current: 8A Type of transistor: NPN Power dissipation: 20W Polarisation: bipolar Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| KSD1691GSTU | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 5A; 20W; TO126ISO Mounting: THT Case: TO126ISO Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 200...400 Collector current: 5A Pulsed collector current: 8A Type of transistor: NPN Power dissipation: 20W Polarisation: bipolar Kind of package: tube |
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