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KSD2012GTU

KSD2012GTU ON Semiconductor

ksd2012d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 805 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
350+0.5 EUR
353+0.49 EUR
357+0.48 EUR
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Technische Details KSD2012GTU ON Semiconductor

Description: ONSEMI - KSD2012GTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 25 W, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 25W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220F, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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353+0.48 EUR
357+0.46 EUR
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auf Bestellung 2000 Stücke:
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208+0.84 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 208 Stücke
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auf Bestellung 64904 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 673 Stücke
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KSD2012GTU KSD2012GTU Fairchild Semiconductor FAIRS25380-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 60V 3A TO-220F-3
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KSD2012GTU KSD2012GTU onsemi ksd2012-d.pdf FAIRS25380-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
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2+2.81 EUR
10+1.98 EUR
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KSD2012GTU KSD2012GTU onsemi ksd2012-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 3A TO-220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 25 W
auf Bestellung 8942 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.3 EUR
50+2.09 EUR
100+1.88 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.38 EUR
2000+1.29 EUR
5000+1.19 EUR
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KSD2012GTU KSD2012GTU ONSEMI ksd2012-d.pdf FAIRS25380-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - KSD2012GTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 25 W, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220F
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 9339 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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KSD2012GTU KSD2012GTU ON Semiconductor ksd2012d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 78 Stücke:
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KSD2012GTU KSD2012GTU ON Semiconductor ksd2012d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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KSD2012GTU
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS NPN 60V 3A TO-220F-3
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Description: TRANS NPN 60V 3A TO-220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 25 W
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSD2012GTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 25 W, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220F
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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