Produkte > ON SEMICONDUCTOR > KSD2012GTU
KSD2012GTU

KSD2012GTU ON Semiconductor


3665580393697348ksd2012.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
257+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 257
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details KSD2012GTU ON Semiconductor

Description: ONSEMI - KSD2012GTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 25 W, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Weitere Produktangebote KSD2012GTU nach Preis ab 0.54 EUR bis 2.35 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
KSD2012GTU KSD2012GTU Hersteller : ON Semiconductor 3665580393697348ksd2012.pdf Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
KSD2012GTU KSD2012GTU Hersteller : ON Semiconductor 3665580393697348ksd2012.pdf Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
206+0.76 EUR
226+ 0.67 EUR
500+ 0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 206
KSD2012GTU KSD2012GTU Hersteller : ON Semiconductor 3665580393697348ksd2012.pdf Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
192+0.81 EUR
206+ 0.73 EUR
226+ 0.64 EUR
500+ 0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 192
KSD2012GTU KSD2012GTU Hersteller : ON Semiconductor 3665580393697348ksd2012.pdf Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 628 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
170+0.92 EUR
200+ 0.76 EUR
500+ 0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 170
KSD2012GTU KSD2012GTU Hersteller : Fairchild Semiconductor FAIRS25380-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 60V 3A TO220F-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 25 W
auf Bestellung 65590 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
712+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 712
KSD2012GTU KSD2012GTU Hersteller : ON Semiconductor 3665580393697348ksd2012.pdf Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 628 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
150+1.04 EUR
170+ 0.89 EUR
200+ 0.73 EUR
500+ 0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 150
KSD2012GTU KSD2012GTU Hersteller : onsemi ksd2012-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 3A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 25 W
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
12+2.34 EUR
50+ 1.88 EUR
100+ 1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 12
KSD2012GTU KSD2012GTU Hersteller : onsemi / Fairchild KSD2012_D-2314452.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
23+2.35 EUR
28+ 1.89 EUR
100+ 1.5 EUR
500+ 1.27 EUR
1000+ 0.97 EUR
5000+ 0.93 EUR
10000+ 0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 23
KSD2012GTU KSD2012GTU Hersteller : ONSEMI 2572469.pdf Description: ONSEMI - KSD2012GTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 25 W, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 12413 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
KSD2012GTU KSD2012GTU Hersteller : ON Semiconductor 3665580393697348ksd2012.pdf Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
KSD2012GTU Hersteller : ONSEMI KSD2012.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 2.5W; TO220FP
Mounting: THT
Power dissipation: 2.5W
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 150...320
Collector current: 3A
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Produkt ist nicht verfügbar