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KSD2012GTU

KSD2012GTU ON Semiconductor

ksd2012d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 4000 Stücke:
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Technische Details KSD2012GTU ON Semiconductor

Description: ONSEMI - KSD2012GTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 25 W, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 25W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220F, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
KSD2012GTU KSD2012GTU ON Semiconductor ksd2012d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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KSD2012GTU KSD2012GTU ON Semiconductor ksd2012d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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KSD2012GTU KSD2012GTU ON Semiconductor ksd2012d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
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500+1.38 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
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KSD2012GTU KSD2012GTU ONSEMI ksd2012-d.pdf Description: ONSEMI - KSD2012GTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 25 W, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220F
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 9325 Stücke:
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75+3.38 EUR
105+2.21 EUR
164+1.31 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.19 EUR
5000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
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KSD2012GTU KSD2012GTU onsemi ksd2012-d.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
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KSD2012GTU KSD2012GTU onsemi ksd2012-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 3A TO-220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 25 W
auf Bestellung 8884 Stücke:
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5+4.55 EUR
50+2.21 EUR
100+1.99 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.46 EUR
2000+1.36 EUR
5000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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KSD2012GTU KSD2012GTU ON Semiconductor ksd2012d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 78 Stücke:
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KSD2012GTU KSD2012GTU ON Semiconductor ksd2012d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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 Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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KSD2012GTU FAIRCHILD ksd2012-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail
auf Bestellung 64904 Stücke:
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673+0.96 EUR
1000+0.87 EUR
10000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 673 Stücke
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KSD2012GTU
Hersteller: ON Semiconductor
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KSD2012GTU
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Description: ONSEMI - KSD2012GTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 25 W, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
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euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220F
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
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Packaging: Tube
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Mounting Type: Through Hole
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Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 25 W
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5000+1.24 EUR
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673+0.96 EUR
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