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KSD363YTU onsemi / Fairchild

Name: KSD363YTU
Brand: onsemi / Fairchild
SKU: 4779366-4
Price: 3.08 EUR
Availability: InStock

Hersteller: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil

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Technische Details KSD363YTU onsemi / Fairchild

Description: TRANS NPN 120V 6A TO-220-3, Power - Max: 40 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V, Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220-3, Frequency - Transition: 10MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.

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Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
KSD363YTU	onsemi	Description: TRANS NPN 120V 6A TO-220-3 Power - Max: 40 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220-3 Frequency - Transition: 10MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
KSD363YTU	ONSEMI	Description: ONSEMI - KSD363YTU - NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SVHC: Lead (10-Jun-2022)	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
KSD363YTU	ON Semiconductor	Trans GP BJT NPN 120V 6A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

KSD363YTU

Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 120V 6A TO-220-3
Power - Max: 40 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Frequency - Transition: 10MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

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KSD363YTU

Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSD363YTU - NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

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KSD363YTU

Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 120V 6A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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