KSD363YTU onsemi / Fairchild
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 1.83 EUR |
| 10+ | 1.59 EUR |
| 100+ | 1.25 EUR |
| 500+ | 1.04 EUR |
| 1000+ | 0.77 EUR |
| 5000+ | 0.74 EUR |
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Technische Details KSD363YTU onsemi / Fairchild
Description: TRANS NPN 120V 6A TO-220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 5V, Frequency - Transition: 10MHz, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V, Power - Max: 40 W.
Weitere Produktangebote KSD363YTU
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
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KSD363YTU | onsemi |
 Description: TRANS NPN 120V 6A TO-220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 40 W |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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KSD363YTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSD363YTU - NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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KSD363YTU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 120V 6A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| KSD363YTU |
|
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 120V 6A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 40 W
Description: TRANS NPN 120V 6A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 40 W
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| KSD363YTU |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSD363YTU - NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - KSD363YTU - NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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| KSD363YTU |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 120V 6A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans GP BJT NPN 120V 6A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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