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КТ814В

КТ814В

Produktcode: 113304
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Hersteller:
Gehäuse: TO-126
Spannung Uce, V: 60 V
Spannung Ucb, V: 70 V
Strom Ic, A: 1,5 A
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BD140 (КТ814Г)
Produktcode: 15292
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BD136,138,140.pdf
BD140 (КТ814Г)
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
Grenzfrequenz fT, MHz: 160 MHz
Spannung Uce, V: 80 V
Spannung Ucb, V: 100 V
Strom Ic, A: 1,5 A
Stromverstärkung h21, max: 250
verfügbar: 1443 St.
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2200uF 50V EXR 18x36mm (low imp.) (EXR222M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Produktcode: 2453
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EXR_080421.pdf
2200uF 50V EXR 18x36mm (low imp.) (EXR222M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)2200uF 50V EXR 18x36mm (low imp.) (EXR222M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
2200uF 50V EXR 18x36mm (low imp.) (EXR222M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)2200uF 50V EXR 18x36mm (low imp.) (EXR222M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 2200 µF
Nennspannung: 50 V
Reihe: EXR
Typ: niedrige Impedanz
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 18x36 mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
verfügbar: 12 St.
    erwartet: 1000 St.
    • 1000 St. - erwartet 29.10.2026
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    10+0.96 EUR
    100+0.76 EUR
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    BD238 (КТ816Г)
    Produktcode: 51316
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    BD238 (КТ816Г)
    Hersteller: ST
    Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
    Gehäuse: TO-126
    Grenzfrequenz fT, MHz: 3 MHz
    Spannung Uce, V: 100 V
    Strom Ic, A: 2 A
    Bemerkung: 25 W
    verfügbar: 10 St.
      AnzahlPrivatkunde
      1+0.21 EUR
      10+0.19 EUR
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      Zener-Diode D814D
      Produktcode: 81751
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      Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
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