LGD15N41ATI LITTELFUSE
Hersteller: LITTELFUSECategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 410V; 15A; 107W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 410V
Collector current: 15A
Power dissipation: 107W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±15V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level
Application: automotive industry; ignition systems
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Technische Details LGD15N41ATI LITTELFUSE
Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 410V; 15A; 107W; DPAK, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 410V, Collector current: 15A, Power dissipation: 107W, Case: DPAK, Gate-emitter voltage: ±15V, Pulsed collector current: 50A, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level, Application: automotive industry; ignition systems, Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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| LGD15N41ATI | Hersteller : Littelfuse | IGBT Transistors DPAK, IGBT3 |
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| LGD15N41ATI | Hersteller : LITTELFUSE |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 410V; 15A; 107W; DPAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 410V Collector current: 15A Power dissipation: 107W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±15V Pulsed collector current: 50A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level Application: automotive industry; ignition systems |
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