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LGE3D20120A LUGUANG ELECTRONIC

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Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220-2; Ir: 50uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 160A
Kind of package: tube
Leakage current: 50µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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Technische Details LGE3D20120A LUGUANG ELECTRONIC

Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220-2; Ir: 50uA, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 1.2kV, Load current: 20A, Semiconductor structure: single diode, Case: TO220-2, Max. forward voltage: 2.2V, Max. forward impulse current: 160A, Kind of package: tube, Leakage current: 50µA, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

Weitere Produktangebote LGE3D20120A

Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
	LGE3D20120A	Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC	Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220-2; Ir: 50uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Max. forward voltage: 2.2V Max. forward impulse current: 160A Kind of package: tube Leakage current: 50µA	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH