Produkte > LUGUANG ELECTRONIC > LGE3M45170B

LGE3M45170B LUGUANG ELECTRONIC

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB49267BBF24CE0D6&compId=LGE3M45170B.pdf?ci_sign=6b3f5e4a20094785900799850c9f8bc512520ce6

Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 48A; Idm: 160A; 520W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
On-state resistance: 90mΩ
Power dissipation: 520W
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 160A
Drain-source voltage: 1.7kV
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 54nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

Produktrezensionen

Produktbewertung abgeben

Technische Details LGE3M45170B LUGUANG ELECTRONIC

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 48A; Idm: 160A; 520W, Mounting: THT, Case: TO247-3, Kind of package: tube, On-state resistance: 90mΩ, Power dissipation: 520W, Drain current: 48A, Pulsed drain current: 160A, Drain-source voltage: 1.7kV, Polarisation: unipolar, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: SiC, Gate-source voltage: -5...20V, Gate charge: 54nC, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

Weitere Produktangebote LGE3M45170B

Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
	LGE3M45170B	Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 48A; Idm: 160A; 520W Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube On-state resistance: 90mΩ Power dissipation: 520W Drain current: 48A Pulsed drain current: 160A Drain-source voltage: 1.7kV Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Gate-source voltage: -5...20V Gate charge: 54nC	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH