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LGE3M50120B LUGUANG ELECTRONIC

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Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 43A; Idm: 145A; 327W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
On-state resistance: 80mΩ
Power dissipation: 327W
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 145A
Drain-source voltage: 1.2kV
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 0.12µC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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Technische Details LGE3M50120B LUGUANG ELECTRONIC

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 43A; Idm: 145A; 327W, Mounting: THT, Case: TO247-3, Kind of package: tube, On-state resistance: 80mΩ, Power dissipation: 327W, Drain current: 43A, Pulsed drain current: 145A, Drain-source voltage: 1.2kV, Polarisation: unipolar, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: SiC, Gate-source voltage: -5...20V, Gate charge: 0.12µC, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
	LGE3M50120B	Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 43A; Idm: 145A; 327W Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube On-state resistance: 80mΩ Power dissipation: 327W Drain current: 43A Pulsed drain current: 145A Drain-source voltage: 1.2kV Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Gate-source voltage: -5...20V Gate charge: 0.12µC	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH