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LM258N

LM258N HGSemi

LM258NHGSemi.pdf
Produktcode: 191833
Hersteller: HGSemi
Gehäuse: DIP-8
Vc, V: 3...30 V
BW, MHz: 0,7 MHz
Vio, mV(Biasspannung): 3 mV
Geschw. Nar., V/mks: 0,6 V/µs
Temperaturbereich: -40…+105°C
ZCODE: 2
Монтаж: THT
auf Bestellung 208 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Technische Details LM258N HGSemi

  • IC - Op Amp
  • No. of Amplifiers:2
  • Op Amp Type:Low Power
  • Gain Bandwidth -3db:1.1MHz
  • Slew Rate:0.6V/es
  • Supply Voltage Min:3V
  • Supply Voltage Max:32V
  • No. of Pins:8
  • Operating Temperature Range:-40`C to +105`C
  • Bandwidth:1.1MHz

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
LM258N LM258N
Produktcode: 162973
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Hersteller : TI LM158%2C258%2C358.pdf lm358-d.pdf IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: DIP-8
Vc, V: 3...30 V
BW, MHz: 0,8 MHz
Vio, mV(Biasspannung): 0,06 mV
Geschw. Nar., V/mks: 0,6 V/µs
Temperaturbereich: -25...+85°C
ZCODE: 2
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LM258N LM258N
Produktcode: 20508
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Hersteller : Fairchild LM158%2C258%2C358.pdf lm358-d.pdf IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: DIP-8
Vc, V: 3...32 V
BW, MHz: 0,8 MHz
Vio, mV(Biasspannung): 0,06 mV
Geschw. Nar., V/mks: 0,6 V/µs
Temperaturbereich: -40…+105°C
ZCODE: 2
Монтаж: THT
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LM258N Hersteller : HGSEMI LM158%2C258%2C358.pdf lm358-d.pdf Operational Amplifier; 0,7MHz; THT; 0.3V/us; -40°C~125°C; PDIP08; LM258N WO258 HGS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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LM258N LM258N
Produktcode: 148949
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Hersteller : ST lm358.pdf IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: DIP-8
Vc, V: 3...32 V
BW, MHz: 0,8 MHz
Vio, mV(Biasspannung): 3 mV
Geschw. Nar., V/mks: 0,6 V/µs
Temperaturbereich: -40…+105°C
ZCODE: 2
Монтаж: THT
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LM258N LM258N Hersteller : Fairchild Semiconductor - ASA 4362875956819079lm358a-d.pdf Op Amp Dual High Gain Amplifier ±16V/32V 8-Pin PDIP Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LM258N LM258N Hersteller : ON Semiconductor 4362875956819079lm358a-d.pdf Op Amp Dual High Gain Amplifier ±16V/32V 8-Pin PDIP Tube
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LM258N LM258N Hersteller : STMicroelectronics LM158%2C258%2C358.pdf Description: IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8MINI DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Current - Supply: 700µA (x2 Channels)
Slew Rate: 0.6V/µs
Gain Bandwidth Product: 1.1 MHz
Current - Input Bias: 20 nA
Voltage - Input Offset: 5 mV
Supplier Device Package: 8-Mini DIP
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 40 mA
Voltage - Supply Span (Min): 3 V
Voltage - Supply Span (Max): 30 V
Qualification: AEC-Q100
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LM258N LM258N Hersteller : onsemi lm358-d.pdf Description: IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Current - Supply: 800µA
Current - Input Bias: 45 nA
Voltage - Input Offset: 2.9 mV
Supplier Device Package: 8-DIP
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 40 mA
Voltage - Supply Span (Min): 3 V
Voltage - Supply Span (Max): 32 V
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LM258N LM258N Hersteller : STMicroelectronics LM158%2C258%2C358.pdf lm358-d.pdf Operational Amplifiers - Op Amps Dual Low Power
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LM258N LM258N Hersteller : onsemi / Fairchild LM358A-D.pdf Operational Amplifiers - Op Amps Dual OP amp
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LM258N LM258N Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8EC5324E8DD5EA&compId=LM258N.pdf?ci_sign=5d434e955dfe687a2837f56207f6215941d7ab64 Category: THT operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 1.1MHz; Ch: 2; DIP8; ±1.5÷16VDC,3÷32VDC
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 1.1MHz
Mounting: THT
Number of channels: 2
Case: DIP8
Slew rate: 0.6V/μs
Operating temperature: -40...105°C
Voltage supply range: ± 1.5...16V DC; 3...32V DC
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LM358N
Produktcode: 181180
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2011041434_HGSEMI-LM358M-TR_C398078.pdf
LM358N
Hersteller: HGSEMI
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: DIP-8
Vc, V: 3…32 V
BW, MHz: 0,7 MHz
Vio, mV(Biasspannung): 2 mV
Geschw. Nar., V/mks: 0,3 V/µs
Temperaturbereich: 0…+70°C
ZCODE: 2
Монтаж: THT
auf Bestellung 657 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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1 kOhm 5% 0,25W (CR025SJTB-1K-Hitano)
Produktcode: 11106
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CR-S_080911.pdf
1 kOhm 5% 0,25W (CR025SJTB-1K-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 1 kOhm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: 3.2х1.6mm; DAusführ.=0.45mm
verfügbar: 7104 Stück
1164 Stück - stock Köln
5940 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 40000 Stück
40000 Stück - erwartet 08.12.2025
Anzahl Preis
10+0.01 EUR
100+0.0056 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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Макетная плата 2x8 двухсторонняя, зеленая
Produktcode: 144385
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Макетная плата 2x8 двухсторонняя, зеленая
+1
Hersteller: Global Tone
Steckbretter > Experimentierplatinen (Leiterplatten)
Габарити: 20x80мм
Опис: Макетна плата 2-х стороння з металізацією отворів, крок: 2,54мм, діаметр отвору: 1мм, 168 отворів під пайку, 4 отвори для кріплення
Тип: Макетна плата під пайку
Вид: двостороння
auf Bestellung 2246 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 2000 Stück:
2000 Stück - erwartet 30.03.2026
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10 kOhm 1% 0,25W выв. (MFR025FTB-10KR – Hitano)
Produktcode: 169934
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mfr_series-hitano-datasheet.pdf
10 kOhm 1% 0,25W выв. (MFR025FTB-10KR – Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 10 kOhm
Präzision: ±1%
P Nenn.,W: 0,25 W
U Betriebs.,V: 250 V
Typ: 6х2,3 mm; Dвів = 0,55 mm
Abmessungen: метало-плівкові
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 30000 Stück
30000 Stück - erwartet 29.11.2025
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IRF540NPBF Infineon (IR) Power MOSFET Transistor 130W 100V 33A 44mΩ TO220AB
Produktcode: 3289
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description f4t984789546784678tuyf475t7847454f5t.pdf
IRF540NPBF Infineon (IR) Power MOSFET Transistor 130W 100V 33A 44mΩ TO220AB
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100
Idd,A: 33
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
JHGF: THT
verfügbar: 2263 Stück
31 Stück - stock Köln
2232 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.88 EUR
10+0.79 EUR
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