LND01K1-G Microchip Technology
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -25°C ~ 125°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 100mA, 0V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): +0.6V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 9 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 5 V
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Technische Details LND01K1-G Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-74A, SOT-753, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -25°C ~ 125°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 100mA, 0V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), Supplier Device Package: SOT-23-5, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Vgs (Max): +0.6V, -12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 9 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 5 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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LND01K1-G | Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74A, SOT-753 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -25°C ~ 125°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 100mA, 0V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Supplier Device Package: SOT-23-5 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): +0.6V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 9 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 5 V |
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LND01K1-G | Microchip Technology |
MOSFETs Lateral N-Ch MOSFET Depletion-Mode |
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Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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LND01K1-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 9V 0.33A 5-Pin SOT-23 T/R |
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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LND01K1-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 9V 0.33A 5-Pin SOT-23 T/R |
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| LND01K1-G |
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Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -25°C ~ 125°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 100mA, 0V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): +0.6V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 9 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 5 V
Description: MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5
Packaging: Cut Tape (CT)
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 100mA, 0V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-5
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MOSFETs Lateral N-Ch MOSFET Depletion-Mode
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| LND01K1-G |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 9V 0.33A 5-Pin SOT-23 T/R
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Trans MOSFET N-CH Si 9V 0.33A 5-Pin SOT-23 T/R
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