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LND01K1-G

LND01K1-G Microchip Technology

20005696A.pdf Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -25°C ~ 125°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 100mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): +0.6V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 9 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 5 V
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Technische Details LND01K1-G Microchip Technology

Description: MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-74A, SOT-753, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -25°C ~ 125°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 100mA, 0V, FET Feature: Depletion Mode, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), Supplier Device Package: SOT-23-5, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Vgs (Max): +0.6V, -12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 9 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 5 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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LND01K1-G LND01K1-G Hersteller : Microchip Technology 20005696A-3443418.pdf MOSFETs Lateral N-Ch MOSFET Depletion-Mode
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LND01K1-G LND01K1-G Hersteller : Microchip Technology 20005696A.pdf Description: MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -25°C ~ 125°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 100mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): +0.6V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 9 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 5 V
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LND01K1-G LND01K1-G Hersteller : Microchip Technology / Atmel 20005696A-1150149.pdf MOSFET Lateral N-Ch MOSFET Depletion-Mode
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LND01K1-G LND01K1-G Hersteller : Microchip Technology 2754141590199257filehandler.aspxddocnameen570632.aspxddocnameen570632.pdf Trans MOSFET N-CH Si 9V 0.33A 5-Pin SOT-23 T/R
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